國家存儲器基地 

國家存儲器基地位于武漢光谷 [1]  。存儲器芯片市場是全球壟斷最為嚴(yán)重的芯片細分市場，DRAM和NANDFLASH芯片市場長期被韓國美日壟斷，尤其以韓國三星、SKHynix兩家為首，共占據(jù)了DRAM市場和NANDFLASH市場70%和50%的市場份額。中國于2013年發(fā)布了自主研發(fā)的55納米相變存儲芯片，成為繼美國和韓國后，全球第三個掌握相變存儲技術(shù)的國家。

項目開工編輯

2017年1月1日，總投資240億美元的“國家存儲器基地”項目在武漢東湖高新區(qū)正式開工。

建設(shè)方編輯

“國家存儲器基地”項目由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設(shè)。以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口，集存儲器產(chǎn)品設(shè)計、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測試、銷售于一體，建成后，還將帶動設(shè)計、封裝、制造、應(yīng)用等芯片產(chǎn)業(yè)相關(guān)環(huán)節(jié)的發(fā)展。 [3] 

項目內(nèi)容編輯

“國家存儲器基地”項目位于武漢東湖高新區(qū)武漢未來科技城，將建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D　NAND　Flash　FAB廠房、一座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，其核心生產(chǎn)廠房和設(shè)備每平方米的投資強度超過3萬美元。項目一期計劃2018年建成投產(chǎn)，2020年完成整個項目，總產(chǎn)能將達到30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元。 [3] 

意義編輯

芯片國產(chǎn)化是中國在信息安全自主可控政策的實踐領(lǐng)域之一，作為信息技術(shù)的基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)，半導(dǎo)體集成電路持續(xù)受到了國家政策的扶持。而存儲器是集成電路產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)產(chǎn)品之一，產(chǎn)品的成熟度和產(chǎn)業(yè)的規(guī)模效應(yīng)均較為顯著，國家存儲器基地的建立，標(biāo)志著芯片國產(chǎn)化之路邁出可靠而重要的一步。 [2] 

案例合同：

 

產(chǎn)品簡介：

1、彈簧采用低頻率值設(shè)計，并經(jīng)噴塑處理，耐候性強，防震效果好。

2、頂部、底部均采用防滑耐磨橡膠以及固定螺栓，安全性能大大提高。

3、安裝簡單并根據(jù)實際需要調(diào)整水平及高度。

4、能夠有效隔變壓器的振動，并保護及延長其使用壽命。